Canale P 65 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
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G65P06K

Codice DigiKey
4822-G65P06KTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
G65P06K
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 65A TO-252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 65 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
18mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 250µA
Vgs (max)
±20V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252
Contenitore/involucro
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,50484€ 1 262,10
15 000€ 0,48019€ 7 202,85
30 000€ 0,45810€ 13 743,00
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,50484
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,61590