
G2K3N10H | |
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Codice DigiKey | 4822-G2K3N10HTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | G2K3N10H |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 2 A (Tc) 2,4W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 220mohm a 2A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 2,4W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo FET | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tecnologia | Contenitore del fornitore SOT-223 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,06204 | € 155,10 |
| 15 000 | € 0,05694 | € 854,10 |
| 30 000 | € 0,05099 | € 1 529,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,06204 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,07569 |


