Canale P 100 V 10 A (Tc) 31W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (3,15x3,05)
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G2K2P10D3E

Codice DigiKey
3141-G2K2P10D3ETR-ND - Nastrato in bobina (TR)
3141-G2K2P10D3ECT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
3141-G2K2P10D3EDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Goford Semiconductor
Codice produttore
G2K2P10D3E
Descrizione
MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Tempi di consegna standard del produttore
8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 100 V 10 A (Tc) 31W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (3,15x3,05)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Goford Semiconductor
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
210mohm a -6A, -10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1668 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
31W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-DFN (3,15x3,05)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,93000€ 0,93
10€ 0,57900€ 5,79
100€ 0,37770€ 37,77
500€ 0,29120€ 145,60
1 000€ 0,26332€ 263,32
2 000€ 0,23985€ 479,70
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 0,21444€ 1 072,20
10 000€ 0,19874€ 1 987,40
15 000€ 0,19074€ 2 861,10
25 000€ 0,18176€ 4 544,00
35 000€ 0,17644€ 6 175,40
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,93000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,13460