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G1K3N10G | |
|---|---|
Codice DigiKey | 4822-G1K3N10GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | G1K3N10G |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 5A TO-89 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 5 A (Tc) 1,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-89 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 130mohm a 5A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo FET | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tecnologia | Contenitore del fornitore SOT-89 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 0,08839 | € 176,78 |
| 16 000 | € 0,08159 | € 1 305,44 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,08839 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,10784 |
