Name: G18NP06Y
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G18NP06YTR-ND
Price: 0.26855 EUR
Availability: InStock

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G18NP06Y
Codice DigiKey	4822-G18NP06YTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G18NP06Y
Descrizione	MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 18 A (Tc) 45W (Tc), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA, 3,5V a 250µA
Produttore Goford Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22nC a 10V, 25nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1446pF a 30V, 2696pF a 30V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 45W (Tc), 50W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Canale P e N, drain comune	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore/involucro TO-252-5, DPAK (4 conduttori+linguetta)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252-4
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 12A, 10V, 45mohm a 12A, 10V

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Nastrato in bobina (TR)

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,22012
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,26855

G18NP06Y