Name: G090P02S
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G090P02STR-ND
Price: 1.0736 EUR
Availability: InStock

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G090P02S
Codice DigiKey	3141-G090P02STR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-G090P02SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G090P02SDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G090P02S
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 11 A (Tc) 3,3W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 1A, 4,5V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 1,1V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 47 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2225 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 3,3W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)