Name: G05P06L
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G05P06LTR-ND
Price: 0.6344 EUR
Availability: InStock

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G05P06L
Codice DigiKey	3141-G05P06LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-G05P06LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G05P06LDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G05P06L
Descrizione	P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 5 A (Tc) 2,6W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	80mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1376 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,6W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)