Name: GD10MPS12E
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-GD10MPS12ETR-ND
Price: 3.7698 EUR
Availability: InStock

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GD10MPS12E
Codice DigiKey	1242-GD10MPS12ETR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1242-GD10MPS12ECT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1242-GD10MPS12EDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	GeneSiC Semiconductor
Codice produttore	GD10MPS12E
Descrizione	DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 1200 V 29A A montaggio superficiale TO-252-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	GeneSiC Semiconductor
Serie	SiC Schottky MPS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	1200 V
Corrente - Media rettificata (Io)	29A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.8 V @ 10 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	5 µA @ 1200 V
Capacità a Vr, F	367pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	TO-252-2
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,09000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,76980

GD10MPS12E