GB01SLT12-220 Navitas Semiconductor, Inc. | Diodi singoli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Produttore Navitas Semiconductor, Inc.	Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 µA @ 1200 V
Confezionamento Sfuso	Capacità a Vr, F 69pF a 1V, 1MHz
Stato componente Obsoleto	Tipo di montaggio Foro passante
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Contenitore/involucro TO-220-2
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 1200 V	Contenitore del fornitore TO-220-2
Corrente - Media rettificata (Io) 1A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.8 V @ 1 A	Codice componente base GB01SLT12
Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)

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GB01SLT12-220