Name: G3F65MT12K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F65MT12K-ND
Price: 12.261 EUR
Availability: InStock

Canale N 1200 V 35 A (Tc) 153W (Tc) Foro passante TO-247-4

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G3F65MT12K
Codice DigiKey	1913-G3F65MT12K-ND
Produttore	Navitas Semiconductor, Inc.
Codice produttore	G3F65MT12K
Descrizione	1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 35 A (Tc) 153W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiC (transistor di giunzione al carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	86mohm a 15A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,3V a 10mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	55 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1298 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	153W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 10,05000	€ 10,05
30	€ 6,02467	€ 180,74
120	€ 5,14217	€ 617,06
510	€ 4,85163	€ 2 474,33

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