Name: G3F25MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F25MT12J-TR-ND
Price: 22.1186 EUR
Availability: InStock

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G3F25MT12J-TR
Codice DigiKey	1913-G3F25MT12J-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1913-G3F25MT12J-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1913-G3F25MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Navitas Semiconductor, Inc.
Codice produttore	G3F25MT12J-TR
Descrizione	1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 87 A (Tc) 362W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 128 nC @ 18 V
Produttore Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs (max) +22V, -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3325 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 362W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiC (transistor di giunzione al carburo di silicio)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 87 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore del fornitore TO-263-7
RDSon (max) a Id, Vgs 34mohm a 34A, 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Vgs(th) max a Id 4,3V a 24mA