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GE12160CEA3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 4014-GE12160CEA3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | GE12160CEA3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3750W Montaggio su telaio Modulo |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 480mA |
Produttore GE Aerospace | Carica del gate (Qg) max a Vgs 3744nC a 18V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 90000pF a 600V |
Confezionamento Sfuso | Potenza - Max 3750W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Contenitore/involucro Modulo |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,425kA (Tc) | Contenitore del fornitore Modulo |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 475A, 20V | Codice componente base |
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In magazzino: 12
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Tutti i prezzi sono in EUR
Sfuso
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 7 478,27000 | € 7 478,27 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 7 478,27000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 9 123,48940 |
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