MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 475A 1250W Montaggio su telaio Modulo
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MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 475A 1250W Montaggio su telaio Modulo
GE17045EEA3
GE17045EEA3

GE12050EEA3

Codice DigiKey
4014-GE12050EEA3-ND
Produttore
Codice produttore
GE12050EEA3
Descrizione
MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 475A 1250W Montaggio su telaio Modulo
Scheda tecnica
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 160mA
Produttore
GE Aerospace
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1248nC a 18V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
29300pF a 600V
Confezionamento
Sfuso
Potenza - Max
1250W
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Qualifica
AEC-Q101
Configurazione
6 a canale N (ponte trifase)
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Contenitore/involucro
Modulo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
475A
Contenitore del fornitore
Modulo
RDSon (max) a Id, Vgs
4,4mohm a 475A, 20V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
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