FCH76N60N Fairchild Semiconductor | Prodotti a semiconduttore discreti

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FCH76N60N
Codice DigiKey	2156-FCH76N60N-ND
Produttore	Fairchild Semiconductor
Codice produttore	FCH76N60N
Descrizione	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 76 A (Tc) 543W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Fairchild Semiconductor
Serie	SupreMOS™
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	76 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	36mohm a 38A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	285 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	12385 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	543W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247
Contenitore/involucro	TO-247-3