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EJP4606 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 5997-EJP4606TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | EJP4606 |
Descrizione | 30V N&P-Channel Trench Power MOS |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 35V 11,4A A montaggio superficiale |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,4A |
Produttore ETEK MICROELECTRONICS | Vgs(th) max a Id 1V a 1mA |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Carica del gate (Qg) max a Vgs 150nC a 10V |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) |
Configurazione 2 a canale N e 2 a canale P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 35V | Contenitore/involucro 8-SOP |
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In magazzino: 10 000
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,30000 | € 0,30 |
| 20 | € 0,28500 | € 5,70 |
| 50 | € 0,26560 | € 13,28 |
| 100 | € 0,24840 | € 24,84 |
| 1 000 | € 0,23131 | € 231,31 |
| 3 000 | € 0,21418 | € 642,54 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,36600 |
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