Name: EPC2366ENGRT
Brand: EPC
SKU: 917-EPC2366ENGRTTR-ND
Price: 4.6848 EUR
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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EPC2366ENGRT
Codice DigiKey	917-EPC2366ENGRTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-EPC2366ENGRTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 917-EPC2366ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2366ENGRT
Descrizione	TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 88A A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	EPC
Serie	eGaN®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	88A
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 12mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (max)	+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2645 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	5-QFN (3.3x2.6)
Contenitore/involucro	5-PowerWQFN