EPC2034 EPC | Prodotti a semiconduttore discreti

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EPC

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EPC2034
Codice DigiKey	917-1132-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-1132-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2034
Descrizione	GANFET N-CH 200V 48A DIE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 48 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EPC2034 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	EPC
Serie	eGaN®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	48 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	10mohm a 20A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8.8 nC @ 5 V
Vgs (max)	+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	950 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	Stampo
Contenitore/involucro	Stampo
Codice componente base	EPC20