Canale N 650 V 7,5 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
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DI7A5N65D2K

Codice DigiKey
4878-DI7A5N65D2K-ND
Produttore
Diotec Semiconductor
Codice produttore
DI7A5N65D2K
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 7.5A TO-263-3
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 7,5 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diotec Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
430mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
722 pF @ 325 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
62,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263AB (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
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Quantità
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Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,15684