Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 2.2204 EUR
Availability: InStock

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DI2A2N100D1K
Codice DigiKey	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diotec Semiconductor
Codice produttore	DI2A2N100D1K
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1000 V 2,2 A (Tc) 30W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DI2A2N100D1K Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Diotec Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±25V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 510 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1000 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,2 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 6,8ohm a 1,5A, 10V