
DI2A2N100D1K | |
|---|---|
Codice DigiKey | 4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | DI2A2N100D1K |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1000 V 2,2 A (Tc) 30W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | DI2A2N100D1K Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1000 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6,8ohm a 1,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 510 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252 (DPAK) | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,70000 | € 1,70 |
| 10 | € 1,08200 | € 10,82 |
| 100 | € 0,73070 | € 73,07 |
| 500 | € 0,58006 | € 290,03 |
| 1 000 | € 0,54331 | € 543,31 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,47918 | € 1 197,95 |
| 5 000 | € 0,44679 | € 2 233,95 |
| 7 500 | € 0,44388 | € 3 329,10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,70000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,07400 |










