
DI170SIC850D7 | |
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Codice DigiKey | 4878-DI170SIC850D7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4878-DI170SIC850D7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4878-DI170SIC850D7DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | DI170SIC850D7 |
Descrizione | SIC MOSFET, TO-263-7L, N, 7A, 17 |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1700 V 7 A (Tc) 62W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1700 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 850mohm a 2A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +20V, -5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 198 pF @ 1000 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 62W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263-7 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,83000 | € 4,83 |
| 10 | € 3,69600 | € 36,96 |
| 25 | € 3,41200 | € 85,30 |
| 100 | € 3,10010 | € 310,01 |
| 250 | € 2,95124 | € 737,81 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 2,80995 | € 2 247,96 |
| 1 600 | € 2,74529 | € 4 392,46 |
| 2 400 | € 2,71289 | € 6 510,94 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,83000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,89260 |


