Canale N 100 V 100 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale 8-QFN (5x6)
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DI100N10PQ

Codice DigiKey
4878-DI100N10PQTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
4878-DI100N10PQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
4878-DI100N10PQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Diotec Semiconductor
Codice produttore
DI100N10PQ
Descrizione
MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Tempi di consegna standard del produttore
8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 100 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale 8-QFN (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
DI100N10PQ Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diotec Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3400 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-QFN (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,13000€ 2,13
10€ 1,37300€ 13,73
100€ 0,93840€ 93,84
500€ 0,75270€ 376,35
1 000€ 0,74429€ 744,29
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 0,60808€ 3 040,40
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,13000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,59860