Name: DI006P02PW
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI006P02PWTR-ND
Price: 0.7442 EUR
Availability: InStock

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DI006P02PW
Codice DigiKey	4878-DI006P02PWTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4878-DI006P02PWCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4878-DI006P02PWDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diotec Semiconductor
Codice produttore	DI006P02PW
Descrizione	MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 6 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale 8-QFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DI006P02PW Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diotec Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	25mohm a 6A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1242 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-QFN (2x2)
Contenitore/involucro	8-PowerUDFN
Codice componente base	DI006P02

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Nastrato in bobina (TR)