
DI006H03SQ | |
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Codice DigiKey | 4878-DI006H03SQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4878-DI006H03SQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4878-DI006H03SQDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | DI006H03SQ |
Descrizione | MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | DI006H03SQ Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V |
Produttore Diotec Semiconductor | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 590pF @ 15V, 631pF @ 15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 1,5W (Ta) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6A (Ta), 4.2A (Ta) | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
RDSon (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V | Contenitore del fornitore 8-SO |
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,15000 | € 2,15 |
| 10 | € 1,38100 | € 13,81 |
| 100 | € 0,94130 | € 94,13 |
| 500 | € 0,75324 | € 376,62 |
| 1 000 | € 0,69278 | € 692,78 |
| 2 000 | € 0,68775 | € 1 375,50 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4 000 | € 0,59919 | € 2 396,76 |
| 8 000 | € 0,56328 | € 4 506,24 |
| 12 000 | € 0,56189 | € 6 742,68 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,15000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,62300 |











