
DI002N10PWK | |
|---|---|
Codice DigiKey | 4878-DI002N10PWKCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4878-DI002N10PWKTR-ND |
Produttore | |
Codice produttore | DI002N10PWK |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 2A 6-POWERUDFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 2 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 6-QFN (2x2) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | DI002N10PWK Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 250mohm a 2A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) Sfuso | Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.4 nC @ 10 V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 454 pF @ 50 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 6-QFN (2x2) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,20000 | € 0,20 |
| 10 | € 0,13400 | € 1,34 |
| 25 | € 0,11880 | € 2,97 |
| 100 | € 0,10170 | € 10,17 |
| 250 | € 0,09348 | € 23,37 |
| 500 | € 0,08852 | € 44,26 |
| 1 000 | € 0,08445 | € 84,45 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4 000 | € 0,09965 | € 398,60 |
| 8 000 | € 0,09088 | € 727,04 |
| 12 000 | € 0,08641 | € 1 036,92 |
| 20 000 | € 0,08139 | € 1 627,80 |
| 28 000 | € 0,07841 | € 2 195,48 |
| 40 000 | € 0,07552 | € 3 020,80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,20000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,24400 |

