Name: ZXTN2010GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXTN2010GTATR-ND
Price: 1.525 EUR
Availability: InStock

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ZXTN2010GTA
Codice DigiKey	ZXTN2010GTATR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXTN2010GTACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXTN2010GTADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXTN2010GTA
Descrizione	TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ZXTN2010GTA Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 100 a 2A, 1V
Produttore Diodes Incorporated	Potenza - Max 3 W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 130MHz
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 6 A	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 60 V	Contenitore del fornitore SOT-223-3
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 260mV a 300mA, 6A	Codice componente base ZXTN2010
Corrente - Interruzione collettore (max) 50 nA (ICBO)

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)