Name: ZXMN6A11DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A11DN8TR-ND
Price: 1.6226 EUR
Availability: InStock

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ZXMN6A11DN8TA
Codice DigiKey	ZXMN6A11DN8TR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN6A11DN8CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN6A11DN8TA
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 2,5A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA (min)
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,7nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 330pF a 40V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,8W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,5A	Codice componente base ZXMN6
RDSon (max) a Id, Vgs 120mohm a 2,5A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRF7103TRPBF	Infineon Technologies	11 860	IRF7103PBFCT-ND	€ 1,02000	Simile

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,33000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,62260

ZXMN6A11DN8TA