Name: ZXMN6A09GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A09GTR-ND
Price: 2.2692 EUR
Availability: InStock

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ZXMN6A09GTA
Codice DigiKey	ZXMN6A09GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN6A09GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN6A09GTA
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 5,4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24.2 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1407 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,4 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-223-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
RDSon (max) a Id, Vgs 40mohm a 8,2A, 10V	Codice componente base ZXMN6

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STN3NF06L	STMicroelectronics	14 315	497-3177-1-ND	€ 1,45000	Simile

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