Name: ZXMN6A08E6TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A08E6TR-ND
Price: 1.5494 EUR
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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ZXMN6A08E6TA
Codice DigiKey	ZXMN6A08E6TR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN6A08E6CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMN6A08E6DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN6A08E6TA
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
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Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 2,8 A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.8 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 459 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,8 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-26
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 4,8A, 10V	Codice componente base ZXMN6

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI3442BDV-T1-E3	Vishay Siliconix	98	SI3442BDV-T1-E3CT-ND	€ 0,81000	Simile

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,27000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,54940

ZXMN6A08E6TA