Name: ZXMN3B01FTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3B01FTR-ND
Price: 0.8662 EUR
Availability: InStock

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ZXMN3B01FTA
Codice DigiKey	ZXMN3B01FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN3B01FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMN3B01FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN3B01FTA
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 1,7 A (Ta) 625mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	150mohm a 1,7A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	700mV a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.93 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	258 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	625mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	ZXMN3