MOSFET - Array 20V 5,9A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
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ZXMN2A04DN8TA

Codice DigiKey
ZXMN2A04DN8TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
ZXMN2A04DN8CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
ZXMN2A04DN8TA
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 5,9A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,9A
RDSon (max) a Id, Vgs
25mohm a 5,9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
700mV a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22,1nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1880pF a 10V
Potenza - Max
1,8W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
ZXMN2
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In magazzino: 506
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,50000€ 2,50
10€ 1,61700€ 16,17
100€ 1,11150€ 111,15
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500€ 0,89558€ 447,79
1 000€ 0,82616€ 826,16
1 500€ 0,79081€ 1 186,21
2 500€ 0,75108€ 1 877,70
3 500€ 0,72756€ 2 546,46
5 000€ 0,70470€ 3 523,50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,50000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,05000