
ZXMHC10A07N8TC | |
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Codice DigiKey | ZXMHC10A07N8DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMHC10A07N8DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMHC10A07N8DIDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | ZXMHC10A07N8TC |
Descrizione | MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 800mA, 680mA 870mW A montaggio superficiale 8-SO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Diodes Incorporated | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 800mA, 680mA | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 700mohm a 1,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 2,9nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 138pF a 60V, 141pF a 50V | |
Potenza - Max | 870mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SO | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,57000 | € 1,57 |
| 10 | € 0,99300 | € 9,93 |
| 100 | € 0,66760 | € 66,76 |
| 500 | € 0,52786 | € 263,93 |
| 1 000 | € 0,48390 | € 483,90 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,42127 | € 1 053,17 |
| 5 000 | € 0,39534 | € 1 976,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,57000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,91540 |

