
ZXMC10A816N8TC | |
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Codice DigiKey | ZXMC10A816N8DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMC10A816N8DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMC10A816N8DIDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | ZXMC10A816N8TC |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 2A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Diodes Incorporated | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 2A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 230mohm a 1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 9,2nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 497pF a 50V, 717pF a 50V | |
Potenza - Max | 1,8W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SO | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,40000 | € 1,40 |
| 10 | € 0,88800 | € 8,88 |
| 100 | € 0,59200 | € 59,20 |
| 500 | € 0,46484 | € 232,42 |
| 1 000 | € 0,42390 | € 423,90 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,37958 | € 948,95 |
| 5 000 | € 0,35220 | € 1 761,00 |
| 7 500 | € 0,33825 | € 2 536,88 |
| 12 500 | € 0,32258 | € 4 032,25 |
| 17 500 | € 0,31331 | € 5 482,92 |
| 25 000 | € 0,31234 | € 7 808,50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,40000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,70800 |

