Name: ZXM62P02E6TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXM62P02E6TR-ND
Price: 1.2322 EUR
Availability: InStock

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ZXM62P02E6TA
Codice DigiKey	ZXM62P02E6TR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXM62P02E6CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXM62P02E6DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXM62P02E6TA
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 2,3 A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ZXM62P02E6TA Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,7V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	200mohm a 1,6A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	700mV a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	320 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-6
Contenitore/involucro	SOT-23-6
Codice componente base	ZXM62P02