Name: DXTN81120DFDB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DXTN81120DFDB-7TR-ND
Price: 0.793 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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DXTN81120DFDB-7
Codice DigiKey	31-DXTN81120DFDB-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DXTN81120DFDB-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DXTN81120DFDB-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DXTN81120DFDB-7
Descrizione	SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 NPN 120V 1A 100MHz 420mW A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo B)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	2 NPN
Corrente - Collettore (Ic) max	1A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	120V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	240mV a 50mA, 1A
Corrente - Interruzione collettore (max)	100nA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	240 a 100mA, 2V
Potenza - Max	420mW
Frequenza - Transizione	100MHz
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-UDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore	U-DFN2020-6 (tipo B)

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)