Name: DMTH8030LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8030LPDW-13TR-ND
Price: 0.37726 EUR
Availability: OutOfStock

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DMTH8030LPDWQ-13

Diodes Incorporated

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DMTH8030LPDW-13
Codice DigiKey	31-DMTH8030LPDW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH8030LPDW-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 80V 28.5A PWRDI50
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 80V 28,5A (Tc) 3,1W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	80V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	28,5A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	26mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10,4nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	631pF a 40V
Potenza - Max	3,1W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Contenitore del fornitore	PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Codice componente base	DMTH8030

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Nastrato in bobina (TR)