Name: DMP2008USS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP2008USS-13TR-ND
Price: 0.32032 EUR
Availability: OutOfStock

Canale P 20 V 13 A (Ta), 38 A (Tc) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO

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DMP2008USS-13
Codice DigiKey	31-DMP2008USS-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP2008USS-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 13 A (Ta), 38 A (Tc) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	13 A (Ta), 38 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	9mohm a12A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	159 nC @ 10 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6820 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SO
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	DMP2008

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,26256	€ 656,40
5 000	€ 0,24249	€ 1 212,45
7 500	€ 0,23227	€ 1 742,03
12 500	€ 0,22660	€ 2 832,50

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,26256
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,32032

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