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DMTH6015LPDWQ-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,18000
Scheda tecnica
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MOSFET - Array 60V 9,4A (Ta), 36,3A (Tc) 2,6W (Ta), 39,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
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DMTH6015LPDW-13

Codice DigiKey
31-DMTH6015LPDW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH6015LPDW-13
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 9,4A (Ta), 36,3A (Tc) 2,6W (Ta), 39,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,4A (Ta), 36,3A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
20mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14,3nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
825pF a 30V
Potenza - Max
2,6W (Ta), 39,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Codice componente base
DMTH6015
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,27379€ 684,47
5 000€ 0,25299€ 1 264,95
7 500€ 0,24240€ 1 818,00
12 500€ 0,23763€ 2 970,38
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,27379
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,33402