Name: DMTH6010SK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6010SK3Q-13DITR-ND
Price: 1.9642 EUR
Availability: InStock

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DMTH6010SK3Q-13
Codice DigiKey	DMTH6010SK3Q-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMTH6010SK3Q-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMTH6010SK3Q-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH6010SK3Q-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 16,3 A (Ta), 70 A (Tc) 3,1W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 38.1 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2841 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16,3 A (Ta), 70 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore TO-252-3
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA	Codice componente base DMTH6010

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXTY90N055T2	IXYS	799	238-IXTY90N055T2-ND	€ 3,92000	Simile
NVD5C668NLT4G	onsemi	681	NVD5C668NLT4GOSCT-ND	€ 2,47000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,61000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,96420

DMTH6010SK3Q-13