MOSFET - Array 60V 13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc) 2,8W A montaggio superficiale PowerDI5060-8
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DMTH6010LPD-13

Codice DigiKey
DMTH6010LPD-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
DMTH6010LPD-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
DMTH6010LPD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH6010LPD-13
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc) 2,8W A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
DMTH6010LPD-13 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
11mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40,2nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2615pF a 30V
Potenza - Max
2,8W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8
Codice componente base
DMTH6010
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In magazzino: 5 507
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,57000€ 1,57
10€ 0,99300€ 9,93
100€ 0,66760€ 66,76
500€ 0,52786€ 263,93
1 000€ 0,48390€ 483,90
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,42127€ 1 053,17
5 000€ 0,39534€ 1 976,70
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,57000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,91540