Name: DMTH6009LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6009LPS-13DITR-ND
Price: 1.342 EUR
Availability: InStock

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DMTH6009LPS-13
Codice DigiKey	DMTH6009LPS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMTH6009LPS-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMTH6009LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH6009LPS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 11,76 A (Ta), 89,5 A (Tc) 2,8W (Ta), 136W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMTH6009LPS-13 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15.6 nC @ 4.5 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1925 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta), 136W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,76 A (Ta), 89,5 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA	Codice componente base DMTH6009

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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In magazzino: 1 942

Scorte di fabbrica: 255 000

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,10000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,34200

DMTH6009LPS-13