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Canale N 60 V 25 A (Ta), 100 A (Tc) 2,1W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
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DMTH6004SPS-13

Codice DigiKey
DMTH6004SPS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH6004SPS-13
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 25 A (Ta), 100 A (Tc) 2,1W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
25 A (Ta), 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,1mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4556 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
DMTH6004
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,63254€ 1 581,35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,63254
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,77170