Name: DMTH43M8LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH43M8LFG-13DI-ND
Price: 0.40442 EUR
Availability: OutOfStock

DMTH43M8LFG-13
Codice DigiKey	DMTH43M8LFG-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH43M8LFG-13
Descrizione	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 24 A (Ta), 100 A (Tc) 2,62W (Ta), 65,2W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	24 A (Ta), 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2798 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,62W (Ta), 65,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	POWERDI3333-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMTH43

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,33149
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,40442

DMTH43M8LFG-13