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DMTH4008LPSW-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,20613
Scheda tecnica
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Canale N 40 V 14,4A (Ta), 64,8A (Tc) 2,99W (Ta), 55,5W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
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DMTH4008LPSWQ-13

Codice DigiKey
31-DMTH4008LPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH4008LPSWQ-13
Descrizione
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 14,4A (Ta), 64,8A (Tc) 2,99W (Ta), 55,5W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
14,4A (Ta), 64,8A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,8mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1088 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,99W (Ta), 55,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8 (tipo UX)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,35381€ 884,52
5 000€ 0,32844€ 1 642,20
7 500€ 0,32275€ 2 420,62
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,35381
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,43165