Name: DMTH4008LPDWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH4008LPDWQ-13TR-ND
Price: 1.4396 EUR
Availability: InStock

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DMTH4008LPDWQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH4008LPDWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH4008LPDWQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH4008LPDWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH4008LPDWQ-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 10A (Ta), 46,2A (Tc) 2,67W (Ta), 39,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10A (Ta), 46,2A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	12,3mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12,3nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	881pF a 20V
Potenza - Max	2,67W (Ta), 39,4W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Contenitore del fornitore	PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Codice componente base	DMTH4008

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Nastrato in bobina (TR)