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DMTH4004SPSW-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,52215
Scheda tecnica
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Canale N 40 V 31 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 167W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
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DMTH4004SPSWQ-13

Codice DigiKey
31-DMTH4004SPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH4004SPSWQ-13
Descrizione
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 31 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 167W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
31 A (Ta), 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,7mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
68.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4305 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,6W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8 (tipo UX)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,60196€ 1 504,90
5 000€ 0,59887€ 2 994,35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,60196
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,73439