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Canale N 30 V 170 A (Tc) 3,2W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
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DMTH32M5LPS-13

Codice DigiKey
DMTH32M5LPS-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH32M5LPS-13
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 170 A (Tc) 3,2W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
170 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,2mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3944 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,2W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
DMTH32
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,33626€ 840,65
5 000€ 0,31181€ 1 559,05
7 500€ 0,30325€ 2 274,38
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,33626
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,41024