Name: DMTH3004LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH3004LPSQ-13-ND
Price: 0.52836 EUR
Availability: OutOfStock

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DMTH3004LPSQ-13
Codice DigiKey	DMTH3004LPSQ-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH3004LPSQ-13
Descrizione	MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 22 A (Ta), 145 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	22 A (Ta), 145 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,8mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	43.7 nC @ 15 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2370 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	136W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerDI5060-8
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	DMTH3004

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Nastrato in bobina (TR)