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Canale N 30 V 15 A (Ta), 75 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
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DMTH3004LFGQ-13

Codice DigiKey
DMTH3004LFGQ-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH3004LFGQ-13
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 15 A (Ta), 75 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15 A (Ta), 75 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2370 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
POWERDI3333-8
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
DMTH3004
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,34943€ 1 048,29
6 000€ 0,32573€ 1 954,38
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,34943
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,42630