Name: DMTH15H053SPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH15H053SPSWQ-13TR-ND
Price: 0.38928 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMTH15H053SPSWQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH15H053SPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH15H053SPSWQ-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 25 A (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.5 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 814 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 107W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25 A (Tc)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 (tipo UX)
RDSon (max) a Id, Vgs 66mOhm @ 20A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMTH15H053SPSW-13	Diodes Incorporated	0	31-DMTH15H053SPSW-13TR-ND	€ 0,29326	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,31908
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,38928

DMTH15H053SPSWQ-13