Name: DMTH10H1M5STTW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND
Price: 6.466 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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DMTH10H1M5STTW-13
Codice DigiKey	31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH10H1M5STTW-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH10H1M5STTW-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH10H1M5STTW-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 386A (Tc) 4,92W (Ta), 535,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI1015-16
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 214 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 13039 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 4,92W (Ta), 535,7W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 386A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerDI1015-16
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro Modulo 16-PowerSOP
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 20A, 10V