


DMTH10H1M5STTW-13 | |
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Codice DigiKey | 31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH10H1M5STTW-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH10H1M5STTW-13DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | DMTH10H1M5STTW-13 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10 |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 386A (Tc) 4,92W (Ta), 535,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI1015-16 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,7mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 214 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 13039 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 4,92W (Ta), 535,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerDI1015-16 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,99000 | € 4,99 |
| 10 | € 3,34000 | € 33,40 |
| 100 | € 2,40220 | € 240,22 |
| 500 | € 2,35826 | € 1 179,13 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 500 | € 1,92667 | € 2 890,01 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 6,08780 |


